OPSL-лазеры Технология оптической накачки полупроводниковых лазеров (OPSL) позволяет создать недорогие, стабильные, компактные и долгоживущие источники излучения. Помимо вышеперечисленных качеств, OPSL-лазеры обладают высоким качеством пучка, широким выбором длин волн и доступных мощностей. Развитие OPSL-технологии позволило перейти от милливаттного к ваттному диапазону, с перспективой дальнейшего роста мощностей.

Начиная с выпуска первого OPSL -лазера в 2001 году, более 20 000 лазеров работали как в лабораториях, так и в полевых условиях. Их надежность и неприхотливость подтверждена обширной статистикой.

OPSL Технология

OPSL technologyИнфракрасное излучение лазерного диода накачки фокусируется на передней поверхности кристалла, где оно поглощается активной средой и создает инверсию населенностей. Встроенное брэгговское зеркало на границе кристалл-подложка служит одним из зеркал резонатора. Внешний резонатор может также включать спектральные фильтры и генерацию гармоник.

 

Семейства

SAPPHIRE - компактный научный лазер 

GENESIS - лазер для широкого круга применений (355, 460, 532, 577 нм)

TRACER - портативный зеленый лазер для целей криминалистики