Полупроводниковые фотодиоды оптимальны для измерения непрерывного излучения малых мощностей. В полупроводниковых фотодиодах падающие фотоны создают носители заряда (электроны или дырки), которые могут быть измерены в виде тока или напряжения. Фотодиоды обладают очень высокой чувствительностью и низким уровнем шумов, что позволяет детектировать очень слабые сигналы. Они насыщаются при примерно 30 мВт, поэтому при более высоких мощностях необходимо пользоваться аттенюаторами. Фотодиоды имеют ограниченный спектральный диапазон и малую пространственную равномерность, что может отрицательно сказаться на воспроизводимости результатов, когда измеряемый луч неравномерен или меняет положение на поверхности сенсора.


Полупроводниковые сенсоры

Кремниевые, германиевые и арсенид-галлиевые полупроводниковые сенсоры обладают спектральными диапазонами чувствительности 0.25-0.4, 0.4-1.06 и 0.8-1.55 мкм соответственно, и порогом насыщения 10-50 мВт при 1 нВт чувствительности. Опционально прилагаются волоконно-оптический коннектор и аттенюатор 1:1000.

 

Более подробные спецификации - на сайте фирмы-производителя